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工業(yè)上電解質(zhì)量分數(shù)為23.4%的精制食鹽水a(chǎn) kg，電解后殘液的密度為ρ kg/L．將產(chǎn)生的H₂、Cl₂在一定條件下反應制成質(zhì)量分數(shù)為36.5%的鹽酸b kg，已知H₂、C1₂的利用率均為c%．試計算（用含題中字母的代數(shù)式表示）：
（1）制得氯化氫mol．
（2）殘液中氯化鈉的質(zhì)量 Kg．
（3）殘液中氫氧化鈉的物質(zhì)的量濃度mol/L．

工業(yè)上電解質(zhì)量分數(shù)為23.4%的精制食鹽水a(chǎn) kg，電解后殘液的密度為ρ kg/L．將產(chǎn)生的H₂、Cl₂在一定條件下反應制成質(zhì)量分數(shù)為36.5%的鹽酸b kg，已知H₂、C1₂的利用率均為c%．試計算（用含題中字母的代數(shù)式表示）：
（1）制得氯化氫______mol．
（2）殘液中氯化鈉的質(zhì)量______ Kg．
（3）殘液中氫氧化鈉的物質(zhì)的量濃度______mol/L．

（2009?重慶）工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
（1）圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是；NaOH溶液的出口為（填字母）；精制飽和食鹽水的進口為（填字母）；干燥塔中應使用的液體是．

（2）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用收到廣泛關(guān)注．
①SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應，產(chǎn)物有兩種，化學方程式為．
②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應：3SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（g）4SiHCl₃（g）達平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為kg．
（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣M³（標準狀況）．

（2013?濰坊模擬）工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．下圖1是離子交換膜法（允許鈉離子通過，不允許氫氧根與氯離子通過）電解飽和食鹽水，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是，NaOH溶液的出口為（填字母），精制飽和食鹽水的進口為（填字母），干燥塔中應使用的液體是．

（1）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注．SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄、H₂、O₂反應，產(chǎn)物有兩種，化學方程式為．SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiCl₃而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中反應3SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）═4SiHCl₃（g）達平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗NaCl的質(zhì)量為kg．
（2）如圖2，實驗室制備H₂和Cl₂通常采用下列反應：
Zn+H₂SO₄?ZnSO4+H2↑，MnO2+4HCl(濃)

△ .

.

MnCl2+Cl2↑+2H2O
據(jù)此，從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H₂的裝置（填代號）和制備并收集干燥、純凈Cl₂的裝置（填代號）．
可選用制備氣體的裝置：
（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時生成氫氣．現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣m³（標準狀況）．（忽略可能存在的其他反應）