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14.一邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形單匝線圈沿光滑水平面運(yùn)動(dòng)以速度υ1開(kāi)始進(jìn)入一有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.最終以速度υ2滑出磁場(chǎng). 設(shè)線圈在磁場(chǎng)中的速度方向始終與磁場(chǎng)邊界垂直.磁場(chǎng)的寬度大于L. 剛進(jìn)入磁場(chǎng)的瞬時(shí).線圈中的感應(yīng)電流為I1.求線圈剛剛滑出磁場(chǎng)時(shí)的電流I2和線圈進(jìn)入過(guò)程中通過(guò)線圈某一截面的電量q. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

一邊長(zhǎng)為L的正方形單匝線圈沿光滑水平面運(yùn)動(dòng)以速度開(kāi)始進(jìn)入一有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,最終以速度滑出磁場(chǎng)。設(shè)線圈在磁場(chǎng)中的速度方向始終與磁場(chǎng)邊界垂直,磁場(chǎng)的寬度大于L。剛進(jìn)入磁場(chǎng)的瞬時(shí),線圈中的感應(yīng)電流為。求線圈剛剛滑出磁場(chǎng)時(shí)的電流和線圈進(jìn)入過(guò)程中通過(guò)線圈某一截面的電量q。

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一邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形單匝線圈沿光滑水平面運(yùn)動(dòng)以速度v1開(kāi)始進(jìn)入一有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,最終以速度v2滑出磁場(chǎng)。 設(shè)線圈在磁場(chǎng)中的速度方向始終與磁場(chǎng)邊界垂直,磁場(chǎng)的寬度大于L。剛進(jìn)入磁場(chǎng)的瞬時(shí),線圈中的感應(yīng)電流為I1。求線圈剛剛滑出磁場(chǎng)時(shí)的電流I2和線圈進(jìn)入過(guò)程中通過(guò)線圈某一截面的電荷量q。

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一邊長(zhǎng)為L的正方形單匝線圈沿光滑水平面運(yùn)動(dòng)以速度開(kāi)始進(jìn)入一有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,最終以速度滑出磁場(chǎng)。設(shè)線圈在磁場(chǎng)中的速度方向始終與磁場(chǎng)邊界垂直,磁場(chǎng)的寬度大于L。剛進(jìn)入磁場(chǎng)的瞬時(shí),線圈中的感應(yīng)電流為。求線圈剛剛滑出磁場(chǎng)時(shí)的電流和線圈進(jìn)入過(guò)程中通過(guò)線圈某一截面的電量q。

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如圖甲所示,在光滑水平面上,有一個(gè)粗細(xì)均勻的單匝正方形閉合線框abcd,邊長(zhǎng)為L(zhǎng),質(zhì)量為m,電阻為R。在水平外力的作用下,線框從靜止開(kāi)始沿垂直磁場(chǎng)邊界方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),穿過(guò)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)方向與線圈平面垂直,線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電流i的大小和運(yùn)動(dòng)時(shí)間t的變化關(guān)系如圖乙所示。則下列說(shuō)法正確的是

A.線框的加速度大小為
B.線框受到的水平外力的大小
C.0~t1時(shí)間內(nèi)通過(guò)線框任一邊橫截面的電荷量為i1t1
D.0~t3間內(nèi)水平外力所做的功大于

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如圖甲所示,在光滑水平面上,有一個(gè)粗細(xì)均勻的單匝正方形閉合線框abcd,邊長(zhǎng)為L(zhǎng),質(zhì)量為m,電阻為R。在水平外力的作用下,線框從靜止開(kāi)始沿垂直磁場(chǎng)邊界方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),穿過(guò)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)方向與線圈平面垂直,線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電流i的大小和運(yùn)動(dòng)時(shí)間t的變化關(guān)系如圖乙所示。則下列說(shuō)法正確的是
A.線框的加速度大小為
B.線框受到的水平外力的大小
C.0~t1時(shí)間內(nèi)通過(guò)線框任一邊橫截面的電荷量為i1t1
D.0~t3間內(nèi)水平外力所做的功大于

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