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l 5.如下圖所示.將截面為正方形的真空腔放置在一勻強磁場中.磁場方向垂直紙面向里.若有一束具有不同速率的電子由小孔沿方向射入磁場.打在腔壁上的電子被吸收.則由小孔和小孔射出的電子的速率之比 .時間之比 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

精英家教網(wǎng)如圖所示,一邊長L,質(zhì)量m2=m,電阻為R的正方形導體線框abcd,與一質(zhì)量為m1=2m的物塊通過輕質(zhì)細線繞過定滑輪P和輪軸Q后相聯(lián)系,Q的輪和軸的半徑之比為r1:r2=2:1.起初ad邊距磁場下邊界為L,磁感應強度B,磁場寬度也為L,且物塊放在傾角θ=53°的斜面上,斜面足夠長,物塊與斜面間的動摩擦因數(shù)μ=0.5.現(xiàn)將物塊由靜止釋放,經(jīng)一段時間后發(fā)現(xiàn)當ad邊從磁場上邊緣穿出時,線框恰好做勻速運動.(sin53°=0.8,cos53°=0.6)求:
(1)線框與物體在任一時刻的動能之比;
(2)ad邊從磁場上邊緣穿出時速度的大。
(3)ad剛進入磁場時線框動能的大小和線框進入磁場過程中通過ab截面的電量;
(4)線框穿過磁場的運動過程產(chǎn)生的焦耳熱.

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如圖所示,一絕緣輕繩繞過無摩擦的兩輕質(zhì)小定滑輪O1、O2,一端與質(zhì)量m=0.2kg的帶正電小環(huán)P連接,且小環(huán)套在絕緣的均勻光滑直桿上(環(huán)的直徑略大于桿的截面直徑),已知小環(huán)P帶電q=4×10-5C,另一端加一恒定的力F=4N.已知直桿下端有一固定轉(zhuǎn)動軸O,上端靠在光滑豎直墻上的A處,其質(zhì)量M=1kg,長度L=1m,桿與水平面的夾角為θ=530,直桿上C點與定滑輪在同一高度,桿上CO=0.8m,滑輪O1在桿中點的正上方,整個裝置在同一豎直平面內(nèi),處于豎直向下的大小E=5×104N/C的勻強電場中.現(xiàn)將小環(huán)P從C點由靜止釋放,求:(取g=10m/s2
(1)剛釋放小環(huán)時,豎直墻A處對桿的彈力大;
(2)下滑過程中小環(huán)能達到的最大速度;
(3)若僅把電場方向反向,其他條件都不變,則環(huán)運動過程中電勢能變化的最大值.

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如圖所示,一絕緣輕繩繞過無摩擦的兩輕質(zhì)小定滑輪O1、O2,一端與質(zhì)量m=0.2kg的帶正電小環(huán)P連接,且小環(huán)套在絕緣的均勻光滑直桿上(環(huán)的直徑略大于桿的截面直徑),已知小環(huán)P帶電q=4×10-5C,另一端加一恒定的力F=4N.已知直桿下端有一固定轉(zhuǎn)動軸O,上端靠在光滑豎直墻上的A處,其質(zhì)量M=1kg,長度L=1m,桿與水平面的夾角為θ=530,直桿上C點與定滑輪在同一高度,桿上CO=0.8m,滑輪O1在桿中點的正上方,整個裝置在同一豎直平面內(nèi),處于豎直向下的大小E=5×104N/C的勻強電場中.現(xiàn)將小環(huán)P從C點由靜止釋放,求:(取g=10m/s2
(1)剛釋放小環(huán)時,豎直墻A處對桿的彈力大小;
(2)下滑過程中小環(huán)能達到的最大速度;
(3)若僅把電場方向反向,其他條件都不變,則環(huán)運動過程中電勢能變化的最大值.
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如圖所示,一絕緣輕繩繞過無摩擦的兩輕質(zhì)小定滑輪O1、O2,一端與質(zhì)量m=0.2kg的帶正電小環(huán)P連接,且小環(huán)套在絕緣的均勻光滑直桿上(環(huán)的直徑略大于桿的截面直徑),已知小環(huán)P帶電q=4×10-5C,另一端加一恒定的力F=4N.已知直桿下端有一固定轉(zhuǎn)動軸O,上端靠在光滑豎直墻上的A處,其質(zhì)量M=1kg,長度L=1m,桿與水平面的夾角為θ=53,直桿上C點與定滑輪在同一高度,桿上CO=0.8m,滑輪O1在桿中點的正上方,整個裝置在同一豎直平面內(nèi),處于豎直向下的大小E=5×104N/C的勻強電場中.現(xiàn)將小環(huán)P從C點由靜止釋放,求:(取g=10m/s2
(1)剛釋放小環(huán)時,豎直墻A處對桿的彈力大;
(2)下滑過程中小環(huán)能達到的最大速度;
(3)若僅把電場方向反向,其他條件都不變,則環(huán)運動過程中電勢能變化的最大值.

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如圖5所示,在網(wǎng)球的網(wǎng)前截擊練習中,若練習者在球網(wǎng)正上方距地面H 處,將球以速度 v 沿垂直球網(wǎng)的方向擊出,球剛好落在底線上。已知底線到網(wǎng)的距離為 L,重力加速度取 g,將球的運動視作平拋運動,下列表述正確的是(  )               

A.球的速度 v 等于 L

B.球從擊出至落地所用時間為

C.球從擊球點至落地點的位移等于 L

D.球從擊球點至落地點的位移與球的質(zhì)量有關

圖5

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