IB |
ed |
1 |
U1-U2 |
. |
v |
. |
v |
U1-U2 |
b |
U1-U2 |
b |
. |
v |
U1-U2 |
b |
. |
v |
. |
v |
. |
v |
I |
bden |
IB |
ed |
1 |
U1-U2 |
科目:高中物理 來源: 題型:
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:
A、是N型半導體,n=
| ||
B、是P型半導體,n=
| ||
C、是N型半導體,n=
| ||
D、是P型半導體,n=
|
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源:2015屆重慶八中高二上期中考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
半導體中參與導電的電流載體稱為載流子。N型半導體的載流子是帶負電的電子,P型半導體的載流子是帶正電的“空穴”,如圖所示,一塊厚度為d、寬度為L的長方形半導體樣品,置于方向如圖所示、磁感應(yīng)強度大小為B的勻強磁場中,當半導體樣品中通以向右的電流強度為I的恒定電流時,樣品上、下底面出現(xiàn)恒定電勢差U,且上表面帶正電、下表面帶負電。設(shè)半導體樣品中每個載流子帶電荷量為q,半導體樣品中載流子的密度(單位體積內(nèi)載流子的個數(shù))用n表示(已知電流I=nqvS,其中v為載流子定向移動的速度,S為導體橫截面積),則下列關(guān)于樣品材料類型的判斷和其中載流子密度n大小的表達式正確的是( )
A.是N型半導體,
B.是P型半導體 ,
C.是N型半導體 ,
D.是P型半導體 ,
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源:2004年江蘇省高考物理模擬試卷 (二)(解析版) 題型:解答題
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報專區(qū) | 電信詐騙舉報專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報專區(qū)
違法和不良信息舉報電話:027-86699610 舉報郵箱:58377363@163.com